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  • 型号: 2SK209-Y(TE85L,F)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SK209-Y(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK209-Y(TE85L,F)价格参考¥1.31-¥1.81。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK209-Y(TE85L,F)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SK209-Y(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SK209-Y(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2SK209-Y(TE85L,F)是东芝半导体与存储公司(Toshiba Semiconductor and Storage)生产的一款N沟道MOSFET射频晶体管,属于射频功率放大器件。该器件主要用于高频信号放大和射频电路中的开关应用。

典型应用场景包括:  
1. FM无线电接收机:用于VHF频段的高频小信号放大,提升接收灵敏度和选择性;  
2. 电视调谐器:在模拟或数字电视接收模块中,作为射频前端放大器,增强高频电视信号;  
3. 无线通信设备:适用于低噪声、高增益要求的UHF/VHF频段,如对讲机、无线麦克风等短距离无线系统;  
4. 射频信号开关与缓冲电路:因其快速开关特性和良好线性度,适合用于信号通路切换或阻抗匹配缓冲。

该MOSFET具有低噪声、高增益和良好的频率响应特性,特别适合工作在数百MHz范围内的射频应用。其小型化封装(如SOT-23)有助于节省PCB空间,适用于紧凑型电子设备。同时,2SK209-Y具备稳定的温度性能和可靠性,适合消费类电子产品和工业级设备使用。

总体而言,2SK209-Y(TE85L,F)是一款成熟可靠的射频小信号MOSFET,广泛应用于广播接收、通信前端及各类高频模拟电路中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH S-MINI FET

产品分类

RF FET

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

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产品图片

产品型号

2SK209-Y(TE85L,F)

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

SC-59

其它名称

2SK209-Y(TE85LF)DKR

功率-输出

-

包装

Digi-Reel®

噪声系数

1dB

增益

-

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

晶体管类型

N 通道 JFET

标准包装

1

电压-测试

10V

电压-额定

-

电流-测试

500µA

频率

1kHz

额定电流

-

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