Datasheet下载- 型号： BLM7G1822S-40PBGY
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLM7G1822S-40PBGY由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLM7G1822S-40PBGY价格参考。NXP SemiconductorsBLM7G1822S-40PBGY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLM7G1822S-40PBGY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLM7G1822S-40PBGY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLM7G1822S-40PBGY 是 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频 MOSFET 晶体管，主要应用于射频功率放大领域。该器件适用于工作频率在 UHF 到微波频段的通信系统，常用于无线基础设施、基站放大器、工业加热设备、等离子体发生器以及广播发射机等场景。 其高效率和高功率密度特性使其在需要高线性度和稳定性的射频系统中表现出色，尤其适合用于 LTE、5G 等现代通信标准中的基站功率放大器设计。此外，该器件也适用于军事通信、雷达系统和测试测量设备中的射频功率控制与放大环节。 BLM7G1822S-40PBGY 具备良好的热稳定性和可靠性，适用于高要求的工业和通信环境，有助于提升系统整体性能和能效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MMIC DUAL 2-STAGE 16HSOP |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLM7G1822S-40PBGY |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 16-HSOP |
| 其它名称 | 934068087518 |
| 功率-输出 | 4W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 31dB |
| 封装/外壳 | SOT-1212-1 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 40mA |
| 频率 | 1.81GHz ~ 2.17GHz |
| 额定电流 | - |
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