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产品简介:
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型号为MRFE6VP5600HSR5的器件由品牌NXP USA Inc.生产,属于射频MOSFET晶体管。该器件主要应用于射频功率放大领域,常见于无线通信基础设施,如蜂窝基站、广播发射系统和工业射频设备中。其高功率密度和优异的线性性能使其适用于需要高效、高稳定性的通信系统。此外,该器件也可用于射频能量应用,如射频加热和等离子体生成设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 600W NI1230S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRFE6VP5600HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230S |
| 功率-输出 | 600W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 25dB |
| 封装/外壳 | NI-1230S |
| 晶体管类型 | LDMOS(双) |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 130V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 230MHz |
| 额定电流 | - |