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产品简介:
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NXP USA Inc.生产的MRF6P27160HR6是一款射频晶体管,属于FET(场效应晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。该型号主要应用于高频、高功率的射频领域,以下是其典型应用场景: 1. 射频功率放大器:MRF6P27160HR6适用于设计高性能射频功率放大器,特别是在无线通信系统中,如基站、无线电发射设备等。它能够提供高效率和高增益,支持高频段信号的放大。 2. 雷达系统:在军事和民用雷达应用中,这款晶体管可以用于驱动和功率放大阶段,确保信号的强度和清晰度,满足远距离探测的需求。 3. 业余无线电:对于业余无线电爱好者,该晶体管可用于构建高效的射频发射机,支持多种频率范围内的信号传输。 4. 工业、科学和医疗(ISM)应用:MRF6P27160HR6也可用于ISM频段的设备中,例如微波加热、等离子体生成和其他需要高功率射频能量的应用。 5. 测试与测量设备:在实验室环境中,该晶体管可用于开发和校准射频测试设备,如信号发生器和频谱分析仪,以确保设备的精确性和可靠性。 总的来说,MRF6P27160HR6凭借其出色的射频性能和高功率处理能力,广泛应用于各种需要高效能射频信号处理的场景中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 35W NI-1230 |
产品分类 | RF FET |
品牌 | Freescale Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MRF6P27160HR6 |
PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | NI-1230 |
功率-输出 | 35W |
包装 | 带卷 (TR) |
噪声系数 | - |
增益 | 14.6dB |
封装/外壳 | NI-1230 |
晶体管类型 | LDMOS |
标准包装 | 150 |
电压-测试 | 28V |
电压-额定 | 68V |
电流-测试 | 1.8A |
频率 | 2.66GHz |
额定电流 | 10µA |