Datasheet下载- 型号： MRF6P27160HR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6P27160HR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6P27160HR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF6P27160HR6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6P27160HR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6P27160HR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6P27160HR6 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 2.7 GHz 频段设计（典型工作频率：2.5–2.7 GHz），适用于高效率、高线性度的宽带射频功率放大。其主要应用场景包括： - 5G 宏基站功率放大器（PA）：尤其适用于 2.6 GHz / 2.7 GHz 频段（如中国 n41、n78，欧洲 B7/B40/B41 等），支持 TDD 模式下大带宽（如 100 MHz）、高阶调制（256-QAM）信号的高效放大； - 无线基础设施设备：用于基站发射链路末级功放模块，满足 3GPP LTE-A 及 5G NR 对 ACLR、EVM 和能效的严苛要求； - 广播与专网通信：适配部分宽带无线接入系统（如 WIMAX 衍生应用）及高可靠性专网基站； - 工业/科研射频源：在医疗射频加热、等离子体激励等中功率（~160W P1dB）连续波（CW）或脉冲应用中亦有使用。 该器件采用气腔陶瓷封装（HR6），具备优异热稳定性与功率密度，支持高电压（28 V 或 32 V）供电，集成ESD保护，便于匹配设计。需配合NXP推荐的输入/输出阻抗匹配网络及偏置电路使用，典型应用参考设计见NXP官方AN1952等文档。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 35W NI-1230 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6P27160HR6 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230 |
| 功率-输出 | 35W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.6dB |
| 封装/外壳 | NI-1230 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.8A |
| 频率 | 2.66GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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