【未分类_2SK3075(TE12L,Q)】封装/厂家_2SK3075(TE12L,Q)中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： 2SK3075(TE12L,Q)
制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3075(TE12L,Q)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3075(TE12L,Q)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK3075(TE12L,Q)封装/规格：未分类，暂无。您可以下载2SK3075(TE12L,Q)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK3075(TE12L,Q) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）生产的2SK3075(TE12L,Q)是一种射频（RF）MOSFET晶体管，主要用于高频放大和信号处理领域。以下是其典型的应用场景：

 1. 射频功率放大器
   - 2SK3075适用于射频功率放大器的设计，能够提供高增益和高效率的信号放大功能。它常用于广播电台、无线通信基站以及业余无线电设备中，以增强信号强度并确保长距离传输。

 2. 短波和超短波通信
   - 在短波（HF）和超短波（VHF/UHF）通信系统中，该器件可以作为功率放大级的核心组件，支持语音、数据或图像信号的高效传输。例如，军用或民用对讲机、卫星通信系统等。

 3. 业余无线电设备
   - 业余无线电爱好者常用2SK3075来构建自制的发射机或线性放大器。它的高频性能和稳定性使其成为DIY项目的理想选择。

 4. 工业、科学和医疗（ISM）应用
   - 在ISM频段（如2.4GHz或5.8GHz），2SK3075可用于微波加热、无线能量传输或其他需要射频功率的应用场景。

 5. 测试与测量设备
   - 高频信号发生器、频谱分析仪和其他射频测试设备可能使用2SK3075进行信号生成或放大，以满足精确测量的需求。

 6. 雷达系统
   - 在小型雷达系统中，该晶体管可以用作功率放大器的一部分，帮助实现目标检测和跟踪功能。

 7. 电子战设备
   - 在军事领域，2SK3075可能被用于干扰器或信号增强装置中，以实现电子对抗功能。

 总结
2SK3075(TE12L,Q)凭借其优异的射频性能和可靠性，广泛应用于各种高频电子设备中。无论是专业通信设备还是业余无线电项目，它都能提供强大的射频功率支持。在实际使用时，需根据具体电路设计要求搭配适当的偏置电路和散热措施，以充分发挥其性能优势。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSF RF N CH 30V 5A PW-X
产品分类	RF FET
品牌	Toshiba Semiconductor and Storage
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	2SK3075(TE12L,Q)
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	PW-X
其它名称	2SK3075(TE12LQ)CT
功率-输出	7.5W
包装	剪切带（CT）
噪声系数	-
增益	11.7dB
封装/外壳	TO-271AA
晶体管类型	N 通道
标准包装	1
电压-测试	9.6V
电压-额定	30V
电流-测试	50mA
频率	520MHz
额定电流	5A