Datasheet下载- 型号： MRF6S20010GNR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S20010GNR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S20010GNR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S20010GNR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S20010GNR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S20010GNR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MRF6S20010GNR1的射频MOSFET晶体管，主要应用于无线通信领域的射频功率放大器中。该器件由NXP USA Inc.生产，属于高性能射频场效应晶体管（RF MOSFET），适用于需要高线性度和高效率的现代通信系统。 典型应用场景包括： 1. 蜂窝通信基站：用于2G、3G、4G乃至部分5G基站的射频功率放大模块，支持基站对信号的高效发射和远距离传输。 2. 广播发射设备：如FM广播或电视广播系统中的射频放大环节，提供稳定、高功率输出。 3. 工业与商业通信系统：例如专用无线通信系统（如TETRA、iDEN）、微波回传设备等。 4. 测试与测量设备：在射频信号发生器或功率放大器模块中，作为关键放大元件使用。 5. 雷达与航空电子系统：适用于需要高可靠性与高功率输出的特殊通信或探测设备中。 该器件具有高增益、良好热稳定性和优异的抗失真性能，适合在高频段（如UHF、L波段）工作，是高性能射频系统设计中的常用选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFT RF N-CH 28V 10W TO270-2 GW射频MOSFET晶体管 HV6 2GHZ 10W |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MRF6S20010GNR1- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MRF6S20010GNR1 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 68 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 68 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 0.5 V, 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 0.5 V, 12 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-270-2 鸥翼型 |
| 其它名称 | MRF6S20010GNR1DKR |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 548 mg |
| 商标 | Freescale Semiconductor |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.5dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-270-2 鸥翼型 |
| 封装/箱体 | TO-270 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 68 V |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 130mA |
| 系列 | MRF6S20010N |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 0.5 V, 12 V |
| 频率 | 2.17GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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