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  • 型号: BLF6G20LS-110,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G20LS-110,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G20LS-110,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G20LS-110,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BLF6G20LS-110,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF6G20LS-110,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BLF6G20LS-110,118 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频晶体管,属于 FET(场效应晶体管)和 MOSFET 类别。这款器件专为高频率、高功率的射频应用而设计,具有出色的线性度和效率,适用于以下主要应用场景:

1. 无线通信基站  
   BLF6G20LS-110,118 适合用于蜂窝通信基站中的射频功率放大器(RF PA)。其高功率处理能力和良好的线性度使其能够支持多种通信标准,如 GSM、UMTS、LTE 和新兴的 5G 网络。

2. 广播系统  
   在 AM/FM 广播发射机中,该器件可用作末级功率放大器的核心组件。其高效的能量转换能力有助于降低整体能耗并提高信号传输质量。

3. 航空航天与国防  
   这款晶体管可用于雷达系统、电子战设备以及卫星通信中的功率放大器。其高频性能和可靠性满足了国防和航空航天领域对射频设备的严格要求。

4. 工业、科学和医疗 (ISM) 应用  
   BLF6G20LS-110,118 可应用于 ISM 频段内的各种设备,例如微波加热装置、无线能量传输系统和医疗成像设备。这些场景需要高功率输出和稳定的射频性能。

5. 测试与测量设备  
   在实验室或生产环境中,该晶体管可集成到信号发生器、频谱分析仪等设备中,提供精确的射频信号放大功能。

6. 物联网 (IoT) 和无线连接  
   对于需要长距离无线通信的 IoT 设备,此晶体管可以提升信号覆盖范围和传输效率,尤其是在 LoRa、Wi-Fi 或 Zigbee 等协议中。

总结来说,BLF6G20LS-110,118 的高性能特性使其成为射频功率放大器的理想选择,广泛应用于通信、广播、国防、工业以及测试测量等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

IC BASESTATION FINAL SOT502B

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BLF6G20LS-110,118

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

SOT502B

其它名称

934060896118
BLF6G20LS-110 /T3
BLF6G20LS-110 /T3-ND

功率-输出

25W

包装

带卷 (TR)

噪声系数

-

增益

19dB

封装/外壳

SOT-502B

晶体管类型

LDMOS

标准包装

100

电压-测试

28V

电压-额定

65V

电流-测试

900mA

频率

1.93GHz ~ 1.99GHz

额定电流

29A

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