Datasheet下载- 型号： BLF6G21-10G,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G21-10G,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G21-10G,135价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G21-10G,135封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G21-10G,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G21-10G,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLF6G21-10G,135 是一款高性能的射频功率 MOSFET 晶体管，主要用于高频率、高功率的射频放大应用。其典型应用场景包括工业、科学和医疗（ISM）频段设备、广播发射机、无线基础设施以及雷达系统等。 该器件工作频段覆盖至1 GHz以上，特别适用于10W至数百瓦输出功率的射频放大电路，具备高增益、高效率和良好的热稳定性，适合在连续波（CW）和调制信号条件下稳定运行。常见用于UHF电视广播、FM广播发射机的末级功率放大，也广泛应用于大功率通信基站、航空通信和公共安全无线系统中。 BLF6G21-10G,135 采用先进的LDMOS技术，支持高电压操作（通常为28V或50V），具备出色的耐用性和抗负载失配能力，能在恶劣工作环境下保持可靠性。此外，它还适用于需要高线性度和宽带性能的现代数字通信系统，如DVB-T、TETRA 和 LTE 基站扩展器。 由于其优异的射频性能和坚固设计，该型号常被选用于户外通信设备、移动广播平台及工业加热设备中的射频能量输出模块。整体而言，BLF6G21-10G,135 是高性能射频功率放大的关键元件，适用于对稳定性与输出功率要求严苛的专业领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PWR LDMOS SOT538 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G21-10G,135 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 2-CDIP |
| 其它名称 | 934063436135 |
| 功率-输出 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-538A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| 额定电流 | 3.1A |
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