Datasheet下载- 型号： PTF141501E V1
- 制造商： Infineon
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PTF141501E V1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTF141501E V1价格参考。InfineonPTF141501E V1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PTF141501E V1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PTF141501E V1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为PTF141501E V1的器件属于射频场效应晶体管（RF FET/MOSFET）类别。该器件主要应用于射频功率放大领域，适用于需要高效、高线性度放大的无线通信系统。 其典型应用场景包括： 1. 基站设备：用于移动通信网络中的射频功率放大器模块，支持如4G LTE、5G等蜂窝通信标准，提供稳定的高频信号放大能力。 2. 广播系统：在FM/TV广播发射机中作为功率放大元件，确保信号远距离传输的质量与效率。 3. 工业和医疗射频设备：例如射频加热、等离子体生成或MRI磁共振成像系统中的射频功率控制单元。 4. 测试与测量仪器：用于射频信号发生器或功率计等设备中，作为关键的放大或信号调节组件。 5. 军事与航空航天：在雷达系统或通信设备中提供高可靠性的射频功率输出。 该器件具备良好的热稳定性和高耐用性，适合在复杂电磁环境及高温条件下运行，是高性能射频系统设计中的重要组成部分。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC FET RF LDMOS 150W H-30260-2 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/ptf141501e-v1_ds_04.pdf?folderId=db3a304312fcb1bc01131b00814e17cf&fileId=db3a3043183a9555011886a21e0066e7 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PTF141501E V1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | GOLDMOS® |
| 供应商器件封装 | H-30260-2 |
| 其它名称 | SP000095458 |
| 功率-输出 | 150W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.5dB |
| 封装/外壳 | 2-扁平封装，叶片引线 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.5A |
| 频率 | 1.5GHz |
| 额定电流 | 1µA |
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