Datasheet下载- 型号： MRFE6VP6300HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6VP6300HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6VP6300HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6VP6300HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFE6VP6300HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6VP6300HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFE6VP6300HR3是NXP USA Inc.生产的一款高功率LDMOS射频MOSFET晶体管，主要应用于高频、高功率的射频放大场合。其典型应用场景包括工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量系统，如射频加热、等离子体生成、材料处理和感应加热设备。该器件支持在50V工作电压下输出高达630W的连续波（CW）功率，具备出色的功率增益和效率，适用于1.8 MHz至600 MHz宽频率范围。 此外，MRFE6VP6300HR3也广泛用于广播领域，如AM、FM和数字音频广播（DAB）发射机中的末级功率放大。其高耐用性和良好的热稳定性使其适合在严苛环境下长期运行。该器件采用陶瓷封装（Flanged Package），具有优良的散热性能，配合合适的散热设计可确保系统可靠性。 由于其高功率能力和稳定性，该型号还适用于航空、国防相关的射频系统，如雷达和通信基站中的高功率放大模块。总之，MRFE6VP6300HR3是一款面向高性能射频功率放大的关键器件，适用于对输出功率、效率和可靠性要求较高的工业与通信应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 300W NI780-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRFE6VP6300HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780-4 |
| 功率-输出 | 300W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 26.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 125V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 230MHz |
| 额定电流 | - |
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