Datasheet下载- 型号： MRFE6VP6300HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6VP6300HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6VP6300HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6VP6300HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFE6VP6300HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6VP6300HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc.生产的型号为MRFE6VP6300HSR5的晶体管属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中的射频类别，主要用于射频功率放大器和相关高频应用。以下是其主要应用场景： 1. 无线通信设备 - 基站：该器件适用于蜂窝网络基站中的射频功率放大器，支持高效率的信号传输。 - 中继器：用于增强信号覆盖范围的中继设备，提供高效的射频信号放大。 - 无线电通信系统：如对讲机、移动无线电等设备中的功率放大模块。 2. 雷达系统 - 在军事或民用雷达系统中，作为射频功率放大器的核心组件，用于发射高功率射频信号，以实现目标检测和跟踪。 3. 广播系统 - FM/AM广播发射机：用于广播电台的射频信号放大，确保信号覆盖范围广且质量稳定。 - 数字广播：支持现代数字广播技术（如DAB）的高效功率输出。 4. 航空航天与国防 - 卫星通信：在卫星地面站中用于射频信号的功率放大，确保与卫星之间的可靠通信。 - 导航系统：如GPS或其他全球导航系统的地面设备，提供稳定的射频信号输出。 5. 工业与科学应用 - 等离子体生成：用于工业等离子体设备中的射频电源，支持材料处理、表面改性等工艺。 - 医疗设备：如某些射频治疗设备，需要高效率的射频功率输出。 6. 测试与测量 - 信号发生器和分析仪：在射频测试设备中用作功率放大器，确保测试信号的强度和稳定性。 性能特点 - 高功率输出能力：适合需要大功率射频信号的应用。 - 高效率：降低能耗并减少热量产生。 - 宽频带支持：适应多种射频频率范围的需求。 - 耐高温设计：能够在严苛环境下稳定工作。 综上所述，MRFE6VP6300HSR5广泛应用于需要高性能射频功率放大的领域，尤其在通信、雷达、广播和工业设备中具有重要价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | FET RF N-CH 230MHZ 125V NI780S-4射频MOSFET晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4 |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MRFE6VP6300HSR5- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MRFE6VP6300HSR5 |
| Pd-PowerDissipation | 1050 W |
| Pd-功率耗散 | 1050 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 130 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 130 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.2 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | NI-780HS-4 |
| 功率-输出 | 300W |
| 功率耗散 | 1050 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 4.570 g |
| 商标 | Freescale Semiconductor |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 26.6 dB at 230 MHz |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | NI-780HS-4 |
| 封装/箱体 | NI-780S-4 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 30 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 130 V |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 125V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 系列 | MRFE6VP6300H |
| 输出功率 | 300 W at Peak |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 10 V |
| 频率 | 1.8 MHz to 600 MHz |
| 额定电流 | - |
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