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Datasheet下载- 型号： BLF578XR,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF578XR,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF578XR,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF578XR,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS（双），共源 50V 40mA 225MHz 23.5dB 1400W SOT539A。您可以下载BLF578XR,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF578XR,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLF578XR,112 是一款高性能射频功率MOSFET晶体管，主要用于高频率、高功率的射频放大应用。该器件广泛应用于广播、工业和通信领域，特别适合在VHF（甚高频）至UHF（特高频）频段工作的系统。 典型应用场景包括FM广播发射机和数字电视（DTV）发射机，尤其适用于要求高效率和高线性度的地面广播基础设施。BLF578XR,112具备出色的热稳定性和高增益性能，支持连续波（CW）和脉冲操作模式，因此也适用于工业、科学和医疗（ISM）频段设备，如射频加热、等离子发生和射频能量应用。 此外，该器件在蜂窝通信基站，特别是4G LTE及部分5G扩展频段的高功率放大器中也有应用，适用于宏基站和高容量中继系统。其坚固的LDMOS结构和高静电放电（ESD）耐受能力，确保了在严苛工作环境下的长期可靠性。 BLF578XR,112采用先进的封装技术，便于集成到风冷或水冷散热系统中，适合长时间高负载运行。由于其优异的输出功率（可达数百瓦）、高效率和良好的互调性能，成为现代高功率射频设计中的关键元件。总体而言，该器件适用于对稳定性、能效和输出质量要求较高的专业级射频系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 未定义的类别 |
| 描述 | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT539A |
| 产品分类 | 其它 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF578XR,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 其它名称 | 934065984112 |
| 标准包装 | 20 |
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