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产品简介:
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NXP USA Inc. 生产的型号为 MRF8S21100HR5 的晶体管属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中的射频类别,主要应用于高频、高功率的射频场景。以下是该型号的主要应用场景: 1. 无线通信 - 基站放大器:该器件适用于无线通信基站中的射频功率放大器,支持高频率和高效率的信号传输。 - 中继器:用于增强信号覆盖范围的射频中继设备中,提供稳定的功率输出。 - 卫星通信:在卫星地面站设备中,作为射频功率放大器的核心元件,确保信号的远距离传输。 2. 雷达系统 - 气象雷达:用于天气监测雷达系统,提供高功率射频信号以探测云层、降雨等气象条件。 - 军事雷达:在军事领域,用于目标探测和跟踪的雷达系统中,实现高精度的信号发射与接收。 3. 工业应用 - 射频加热:在工业射频加热设备中,如塑料焊接、木材干燥等领域,提供高效的能量转换。 - 等离子体生成:用于等离子体设备中,产生高频电磁场以激发气体形成等离子体。 4. 广播系统 - FM/AM广播:在广播发射机中,作为功率放大器的关键组件,确保广播信号的高质量传输。 - 数字广播:支持新兴的数字广播技术,如 DAB(数字音频广播),提供更高的带宽利用率。 5. 测试与测量 - 信号发生器:在射频测试设备中,用于生成高功率射频信号,满足测试需求。 - 频谱分析仪:作为校准和测试工具的一部分,确保设备的准确性和可靠性。 特性总结 MRF8S21100HR5 具有高功率处理能力、高效率和低失真的特点,适合工作在 S 波段及以上的射频频率范围。其优异的热性能和可靠性使其成为高性能射频应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET RF N-CH 28V NI780H |
产品分类 | RF FET |
品牌 | Freescale Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MRF8S21100HR5 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | NI-780 |
功率-输出 | 24W |
包装 | 带卷 (TR) |
噪声系数 | - |
增益 | 18.3dB |
封装/外壳 | NI-780 |
晶体管类型 | N 通道 |
标准包装 | 100 |
电压-测试 | 28V |
电压-额定 | 65V |
电流-测试 | 700mA |
频率 | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
额定电流 | - |