Datasheet下载- 型号： PD84008L-E
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD84008L-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD84008L-E价格参考。STMicroelectronicsPD84008L-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PD84008L-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD84008L-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD84008L-E是一款射频（RF）MOSFET晶体管，主要应用于高频和射频功率放大场景。以下是其典型应用场景： 1. 射频功率放大器：PD84008L-E适用于广播、通信和工业科学医疗（ISM）频段中的射频功率放大器。它能够在高频条件下提供高增益和高效率，适合用于无线电发射设备。 2. 业余无线电：在业余无线电爱好者中，这款晶体管可以用于构建高效的射频功率放大器，以增强信号传输距离和质量。 3. 短波广播：用于短波广播设备中，提升信号覆盖范围和清晰度。其高效能特性有助于降低能耗并提高系统稳定性。 4. 无线通信系统：包括对讲机、无线数据传输模块等需要射频放大的应用领域。该器件能够满足这些设备对高频信号处理的需求。 5. 工业加热与等离子体控制：在某些工业应用中，如射频感应加热或等离子体生成，PD84008L-E可用于驱动射频电源，提供必要的功率输出。 6. 测试与测量设备：用于射频测试仪器中，例如信号发生器或频谱分析仪，以确保准确的高频信号生成与检测。 总之，PD84008L-E凭借其优秀的射频性能，广泛应用于需要高效射频功率放大的各种电子设备和系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF POWER LDMOST N-CH |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PD84008L-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PowerFLAT™（5x5） |
| 其它名称 | 497-8295 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1820/PF179646?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.5dB |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 7.5V |
| 电压-额定 | 25V |
| 电流-测试 | 250mA |
| 配用 | /product-detail/zh/STEVAL-TDR006V1/497-8430-ND/1982083 |
| 频率 | 870MHz |
| 额定电流 | 7A |
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