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  • 型号: BLF2425M7LS100J
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF2425M7LS100J由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF2425M7LS100J价格参考。NXP SemiconductorsBLF2425M7LS100J封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BLF2425M7LS100J参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF2425M7LS100J 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 的 BLF2425M7LS100J 是一款射频功率晶体管,属于 FET(场效应晶体管)中的 MOSFET 类型。这款器件主要应用于高频和高功率的射频场景中,以下是其典型应用场景:

 1. 无线通信基站
   - 该型号适用于 2G、3G、4G 和部分 5G 基站的射频功率放大器(RF PA)。它能够提供高效的功率输出,满足基站对信号覆盖和传输距离的需求。
   - 在多载波 GSM、CDMA 和 LTE 系统中表现优异。

 2. 广播系统
   - 用于 FM/AM 广播发射机,支持高功率输出以覆盖更广的区域。
   - 提供稳定的频率响应和低失真性能,确保广播信号的质量。

 3. 航空与国防
   - 应用于雷达系统、电子对抗设备和卫星通信等国防领域。
   - 其高频特性和可靠性使其成为关键任务的理想选择。

 4. 工业、科学和医疗(ISM)应用
   - 在 ISM 频段中,用于无线能量传输、等离子体生成和医疗设备(如 MRI 和超声波)中的射频功率放大。
   - 支持高效能和高稳定性的功率输出。

 5. 测试与测量设备
   - 用于信号发生器、频谱分析仪和其他射频测试设备中,提供精确的功率放大功能。
   - 保障测试结果的准确性和一致性。

 6. 物联网(IoT)与专用无线网络
   - 在专用无线网络(如 LoRa、Sigfox)中,作为射频功率放大器的核心组件。
   - 提升信号传输范围和抗干扰能力。

BLF2425M7LS100J 的特点包括高增益、宽带宽、高效率和良好的线性度,这些特性使其非常适合上述高频和高功率的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR RF POWER LDMOST

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

产品图片

产品型号

BLF2425M7LS100J

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

*

其它名称

934067901118

标准包装

100

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