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- 型号： MAGX-001220-100L00
- 制造商： M/A-COM
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MAGX-001220-100L00由M/A-COM设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MAGX-001220-100L00价格参考。M/A-COMMAGX-001220-100L00封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MAGX-001220-100L00参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MAGX-001220-100L00 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
M/A-Com Technology Solutions（现为MACOM的一部分）的MAGX-001220-100L00是一款硅基射频MOSFET晶体管，适用于高频射频应用。该器件主要用于射频功率放大器设计，常见于无线通信系统、射频测试设备和工业射频加热系统等场景。 在无线通信中，MAGX-001220-100L00可用于基站、微波链路和广播系统中的射频信号放大，支持高线性度和效率，适合处理中等功率水平的射频信号。此外，该器件也可用于射频测试仪器中，作为信号放大或驱动元件，提升测试系统的输出能力。 在工业应用中，该晶体管可用于射频能量应用，如材料加热、等离子体生成和射频驱动的医疗设备。其高可靠性和稳定性使其适用于需要长时间运行的工业环境。 总体而言，MAGX-001220-100L00因其良好的射频性能和耐用性，广泛应用于通信、测试测量和工业射频系统中的功率放大环节。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR GAN 100W 1.2-2.0GHZ射频JFET晶体管 1.2-2.0GHz 50Volt 100W Pk Gain 15.1dB |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | MACOMM/A-Com Technology Solutions |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,MACOM MAGX-001220-100L00- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MAGX-001220-100L00MAGX-001220-100L00 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 175 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 175 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 8 V |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | - |
| 其它名称 | 1465-1090 |
| 功率-输出 | 100W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | MACOM |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.8dB14.8 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | - |
| 封装/箱体 | Cu/Mo/Cu Flanged Ceramic |
| 工作温度范围 | - 40 C to + 95 C |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 技术 | GaN SiC |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | HEMT |
| 最大工作温度 | + 95 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 5 |
| 正向跨导-最小值 | 2.5 S |
| 漏极连续电流 | 4.5 A |
| 漏源电压VDS | 175 V |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 500mA |
| 类型 | GaN SiC HEMT |
| 输出功率 | 100 W |
| 闸/源击穿电压 | - 8 V |
| 频率 | 1.2GHz ~ 2GHz1.2 GHz to 1.4 GHz |
| 额定电流 | 4.5A |
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