【未分类_MRFE6S9045GNR1】封装/厂家_MRFE6S9045GNR1中文资料_价格

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型号： MRFE6S9045GNR1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6S9045GNR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6S9045GNR1价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6S9045GNR1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRFE6S9045GNR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6S9045GNR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRFE6S9045GNR1 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为宽带、高功率射频放大应用设计。其典型应用场景包括：  

- 蜂窝基站基础设施：广泛用于 4G LTE 和 5G 宏基站的末级功率放大器（PA），支持 860–960 MHz 频段（如中国 D频段、B8/B20 等），具备高增益（≥18 dB）、高效率（典型漏极效率达 35–40%）和优异线性度，满足严苛的ACLR与EVM指标要求。  

- 广播发射设备：适用于 FM 广播（87.5–108 MHz）及 TV 发射机的中/高功率驱动级或末级放大，支持连续波（CW）及复杂调制信号（如OFDM、DVB-T）。  

- 工业与科研射频源：用于等离子体发生器、RF 加热（如半导体工艺腔体激励）、MRI 射频功放模块等需要稳定、可靠高功率输出的场景。  

该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1222A），集成ESD保护与优化热设计，支持高可靠性连续工作；需配合匹配网络与偏置电路使用，典型静态工作点为 VDD = 28 V，IDQ ≈ 200 mA。  

注意：实际应用中须严格遵循NXP官方参考设计、PCB布局指南及热管理规范，以确保性能与寿命。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 45W TO-270-2
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册
产品图片
产品型号	MRFE6S9045GNR1
PCN过时产品	http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	TO-270 WB-4 鸥翼形
功率-输出	10W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	22.1dB
封装/外壳	TO-270BB
晶体管类型	LDMOS
标准包装	500
电压-测试	28V
电压-额定	66V
电流-测试	350mA
频率	880MHz
额定电流	10µA