Datasheet下载- 型号： BF994S,215
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF994S,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF994S,215价格参考。NXP SemiconductorsBF994S,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BF994S,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF994S,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 BF994S,215 的射频MOSFET晶体管，由 NXP USA Inc. 生产，主要应用于 射频（RF）信号处理领域，尤其适合于 低噪声、高频率放大 的场景。 该器件是一款双栅极MOSFET，具有良好的高频性能和低噪声系数，常用于： 1. 射频前端模块：如通信设备中的低噪声放大器（LNA），用于接收微弱信号并进行放大； 2. 无线通信系统：包括无线基站、中继器、微波通信设备等； 3. 广播接收设备：如FM/TV调谐器，用于接收和放大广播信号； 4. 测试与测量仪器：用于高精度射频信号的采集与处理； 5. 航空航天与国防：在雷达和卫星通信系统中作为高频信号放大器件。 其双栅极设计使其具备良好的增益控制能力，适合需要频率选择性和信号调节的应用。此外，该器件采用小型封装，适合高密度PCB布局。 综上，BF994S,215广泛应用于高频、低噪声要求较高的射频电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B射频MOSFET晶体管 N-CH DUAL GATE 20V VHF |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-连续漏极电流 | 0.03 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BF994S,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BF994S,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 6 V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | RF MOSFET Small Signal |
| 供应商器件封装 | SOT-143B |
| 其它名称 | 568-1972-2 |
| 功率-输出 | - |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数 | 1dB |
| 增益 | 25dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-253-4，TO-253AA |
| 封装/箱体 | SOT-143 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | N 通道双门 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 0.03 A |
| 电压-测试 | 15V |
| 电压-额定 | 20V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 配置 | Single Dual Gate |
| 闸/源击穿电压 | +/- 6 V |
| 零件号别名 | BF994S T/R |
| 频率 | 200MHz |
| 额定电流 | 30mA |
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