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  • 型号: BLF7G22LS-130,112
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BLF7G22LS-130,112产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G22LS-130,112由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G22LS-130,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G22LS-130,112封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet LDMOS 28V 950mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 18.5dB 30W SOT502B。您可以下载BLF7G22LS-130,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF7G22LS-130,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 的 BLF7G22LS-130,112 是一款射频晶体管,属于 FET(场效应晶体管)和 MOSFET 类别,专为高频应用设计。以下是该型号的主要应用场景:

 1. 射频功率放大器 (RF Power Amplifiers)
   - BLF7G22LS-130,112 常用于射频功率放大器的设计,适用于无线通信系统中的高效率功率输出。
   - 它支持的频率范围使其非常适合 VHF 和 UHF 频段的应用,例如广播、卫星通信和移动通信。

 2. 广播电视系统
   - 在电视和广播发射机中,该器件可用于驱动或最终功率放大阶段。
   - 它能够提供高增益和高效率,确保信号在长距离传输中保持清晰和稳定。

 3. 工业、科学和医疗 (ISM) 应用
   - 此类射频晶体管广泛应用于 ISM 领域,如微波加热设备、等离子体生成器和医疗成像设备。
   - 在这些场景中,BLF7G22LS-130,112 提供了所需的高功率和稳定性。

 4. 无线通信基础设施
   - 包括蜂窝基站、Wi-Fi 设备和点对点无线电通信系统。
   - 其高性能和可靠性使其成为基站功率放大器的理想选择,尤其是在需要高线性度和低失真的场合。

 5. 业余无线电 (Ham Radio)
   - 业余无线电爱好者常用此类射频晶体管来构建自制的高功率发射机。
   - 它可以满足业余无线电所需的宽频带和高效率要求。

 6. 雷达系统
   - 在军事和民用雷达应用中,BLF7G22LS-130,112 可用于脉冲功率放大器,以提高探测距离和精度。
   - 其快速开关特性和高功率处理能力使其非常适合雷达系统的严格要求。

 总结
BLF7G22LS-130,112 凭借其卓越的射频性能和可靠性,广泛应用于通信、广播、工业和国防领域。它的高功率输出和宽频带特性,使其成为多种射频应用的核心组件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502B

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BLF7G22LS-130,112

PCN封装

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PCN组件/产地

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

SOT502B

其它名称

568-8662
934063501112
BLF7G22LS-130,112-ND
BLF7G22LS130112

功率-输出

30W

包装

托盘

噪声系数

-

增益

18.5dB

封装/外壳

SOT-502B

晶体管类型

LDMOS

标准包装

20

电压-测试

28V

电压-额定

65V

电流-测试

950mA

频率

2GHz ~ 2.2GHz

额定电流

28A

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