【未分类_BLL1214-250R,112】封装/厂家_BLL1214-250R,112中文资料_价格

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型号： BLL1214-250R,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLL1214-250R,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLL1214-250R,112价格参考。NXP SemiconductorsBLL1214-250R,112封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLL1214-250R,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLL1214-250R,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 的 BLL1214-250R,112 是一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET 类别。该型号主要应用于高频、高效率的射频功率放大器领域，具体应用场景如下：

 1. 无线通信系统
   - 适用于基站、中继站和其他无线通信设备中的射频功率放大器。
   - 支持 L 波段（1.2 GHz 至 1.4 GHz）的应用，例如航空电子设备、卫星通信和地面雷达。

 2. 广播系统
   - 在 FM 和电视广播中用于信号放大发射。
   - 提供高线性度和低失真性能，确保高质量的信号传输。

 3. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域
   - 在 ISM 频段（如 13.56 MHz 或更高频率）中用于加热、焊接、等离子体生成等应用。
   - 高效的能量转换能力使其适合需要高功率输出的场景。

 4. 雷达系统
   - 用于气象雷达、空中交通管制雷达和军事雷达中的射频功率放大。
   - 其高增益和可靠性能够满足苛刻的环境要求。

 5. 测试与测量设备
   - 在信号发生器、频谱分析仪等测试设备中作为功率放大模块。
   - 确保测试信号的稳定性和准确性。

 性能特点：
- 工作频率范围：1.2 GHz 至 1.4 GHz。
- 输出功率：高达 250 W（峰值功率）。
- 高效率：在典型负载条件下表现出优异的功率转换效率。
- 耐用性：设计坚固，能够在高温和高湿度环境下稳定运行。

综上所述，BLL1214-250R,112 主要应用于需要高功率、高效率射频放大的场景，广泛服务于通信、广播、工业和国防等领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS L-BAND RADAR LDMOS SOT502A
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLL1214-250R,112
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	LDMOST
其它名称	934063381112
功率-输出	250W
包装	托盘
噪声系数	-
增益	13dB
封装/外壳	SOT-502A
晶体管类型	LDMOS
标准包装	20
电压-测试	36V
电压-额定	75V
电流-测试	150mA
频率	1.2GHz ~ 1.4GHz
额定电流	-