【未分类_BLS6G2731-6G,112】封装/厂家_BLS6G2731-6G,112中文资料_价格

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型号： BLS6G2731-6G,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLS6G2731-6G,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLS6G2731-6G,112价格参考。NXP SemiconductorsBLS6G2731-6G,112封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLS6G2731-6G,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLS6G2731-6G,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 生产的型号为 BLS6G2731-6G,112 的射频晶体管（属于 FET、MOSFET 类别）是一款高性能的 LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor）器件，专为射频功率放大器应用设计。以下是其主要应用场景：

 1. 无线通信基站
   - 该器件适用于蜂窝通信系统的射频功率放大器，例如 GSM、CDMA、WCDMA、LTE 和 5G 基站。
   - 它能够提供高效率和线性性能，满足现代通信系统对信号质量和带宽的要求。

 2. 广播系统
   - 用于 FM、AM 或数字音频广播（DAB）系统的射频功率放大器。
   - 高输出功率和稳定性使其适合大范围覆盖的广播应用。

 3. 雷达系统
   - 在军事或民用雷达中，作为射频功率放大器的核心组件。
   - 其高频特性和高功率处理能力非常适合脉冲雷达和连续波雷达的应用。

 4. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域
   - 用于 ISM 频段的设备，如微波加热、等离子体生成或医疗成像设备。
   - 提供高效的能量转换和稳定的功率输出。

 5. 测试与测量设备
   - 用于信号发生器、频谱分析仪或其他需要高功率射频信号源的测试仪器。
   - 其优异的增益和低失真特性有助于提高测试精度。

 6. 业余无线电
   - 在业余无线电爱好者中，可用于构建高功率射频放大器，支持 HF、VHF 和 UHF 频段的通信。

 性能特点：
- 频率范围：覆盖广泛的射频频段，适用于多种通信标准。
- 高功率密度：能够在紧凑的设计中实现高功率输出。
- 高效能：优化的能耗表现，降低散热需求。
- 高可靠性：适合长时间运行的严苛环境。

总之，BLS6G2731-6G,112 是一款适用于多种射频功率放大场景的高性能 MOSFET，广泛应用于通信、广播、雷达和测试设备等领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT975C
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLS6G2731-6G,112
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	SOT975C
其它名称	934061749112
功率-输出	6W
包装	管件
噪声系数	-
增益	15dB
封装/外壳	SOT-975C
晶体管类型	LDMOS
标准包装	60
电压-测试	32V
电压-额定	60V
电流-测试	25mA
频率	2.7GHz ~ 3.1GHz
额定电流	3.5A