Datasheet下载- 型号： BLF7G27LS-75P,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G27LS-75P,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G27LS-75P,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G27LS-75P,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF7G27LS-75P,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G27LS-75P,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF7G27LS-75P,112 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款高性能射频功率 MOSFET 晶体管，主要用于高频率、高功率的射频放大应用。该器件工作频率可达 2.7 GHz，适用于 L 波段至 S 波段的无线通信系统。 其主要应用场景包括：陆地移动无线电（如公共安全通信、应急通信系统）、工业加热设备、射频能量应用以及广播和专业通信领域的高效率功率放大器设计。此外，该器件也广泛用于基站基础设施中的高效线性放大，支持高数据速率传输和稳定信号覆盖。 BLF7G27LS-75P,112 具有高增益、高效率和良好的热稳定性，采用先进的封装技术，便于散热并提升可靠性，适合在严苛环境条件下长时间运行。其坚固的设计使其在高电压驻波比（VSWR）环境下仍能保持良好耐受性，增强了系统的鲁棒性。 总之，这款 MOSFET 特别适用于需要高输出功率、高效率和高可靠性的射频功率放大场景，是现代通信与工业射频系统中的关键元器件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PWR LDMOS SOT1121B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF7G27LS-75P,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM4 |
| 其它名称 | 934064558112 |
| 功率-输出 | 12W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17dB |
| 封装/外壳 | SOT-1121B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 650mA |
| 频率 | 2.3GHz ~ 2.4GHz |
| 额定电流 | 18A |
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