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Datasheet下载- 型号： BLF871,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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BLF871,112产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF871,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF871,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF871,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， RF Mosfet LDMOS 40V 500mA 860MHz 19dB 100W SOT467C。您可以下载BLF871,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF871,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的BLF871,112是一款高性能射频功率MOSFET晶体管，广泛应用于高频率、高功率的无线通信系统中。该器件特别适用于工作在80 MHz至1 GHz频率范围内的射频放大器设计，具备高效率、高增益和良好的热稳定性。 主要应用场景包括：广播发射机（如FM无线电广播和数字音频广播DAB），其中BLF871,112可提供稳定的大功率输出，确保信号远距离覆盖；陆地移动通信系统（如公共安全通信、应急通信网络和专业对讲系统），支持高可靠性语音与数据传输；以及工业、科学和医疗（ISM）频段设备，用于射频能量传输或加热等非通信用途。 此外，BLF871,112也适用于蜂窝通信基础设施中的增强型信号中继站或分布式天线系统，尤其适合需要高线性度和耐用性的场合。其坚固的封装设计和出色的抗负载失配能力，使其能在恶劣工作环境下保持长期稳定运行。 综上，BLF871,112是面向广播、专业通信和工业应用的高性能射频功率放大核心器件，适合对输出功率、能效和系统可靠性有较高要求的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR RF LDMOS SOT467C |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BLF871,112 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 568-4737 |
| 功率-输出 | 100W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19dB |
| 封装/外壳 | SOT467C |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 40V |
| 电压-额定 | 89V |
| 电流-测试 | 500mA |
| 频率 | 860MHz |
| 额定电流 | 1.4µA |
