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  • 型号: BLF888,112
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BLF888,112产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF888,112由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF888,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF888,112封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet LDMOS(双),共源 50V 1.3A 860MHz 19dB 250W CDFM2。您可以下载BLF888,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF888,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 生产的型号为 BLF888,112 的晶体管属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET 类别,主要用于射频(RF)应用。以下是该型号可能的应用场景:

 1. 射频功率放大器
   - BLF888,112 常用于射频功率放大器的设计,特别是在高频通信领域。它能够提供高效率和高增益,适用于 VHF 和 UHF 频段。
   - 应用实例:无线通信基站、对讲机、广播系统等。

 2. 无线通信设备
   - 在无线通信系统中,这款 MOSFET 可以用于信号的放大和传输,支持多种调制方式。
   - 应用实例:移动通信基础设施、卫星通信设备、无线电收发器。

 3. 工业加热与等离子体应用
   - 射频 MOSFET 能够驱动高频电源,广泛应用于工业加热、焊接和等离子体生成等领域。
   - 应用实例:感应加热设备、医疗设备中的等离子体发生器。

 4. 广播发射机
   - 由于其高功率处理能力和稳定性,BLF888,112 适合用于广播发射机的射频输出级。
   - 应用实例:FM 广播发射机、电视广播设备。

 5. 雷达系统
   - 在雷达系统中,该器件可用于脉冲功率放大,提供高能量输出以增强探测距离和精度。
   - 应用实例:气象雷达、军事雷达。

 6. 业余无线电爱好者项目
   - 这款晶体管也受到业余无线电爱好者的青睐,用于自制射频放大器或实验性通信设备。
   - 应用实例:自制电台、实验性通信链路。

 技术特点
- 频率范围:适用于 VHF 和 UHF 频段,支持高频操作。
- 高效率:在射频功率放大中表现出色,能有效减少能量损耗。
- 高可靠性:设计坚固,能够在恶劣环境下稳定运行。

总结来说,BLF888,112 主要应用于需要高效射频功率放大的场景,如通信、广播、工业加热和雷达系统等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT979A

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

产品型号

BLF888,112

PCN封装

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PCN组件/产地

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

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供应商器件封装

CDFM2

其它名称

568-5102-5
934062101112
BLF888,112-ND

功率-输出

250W

包装

管件

噪声系数

-

增益

19dB

封装/外壳

SOT-979A

晶体管类型

LDMOS(双)

标准包装

20

电压-测试

50V

电压-额定

104V

电流-测试

1.3A

频率

860MHz

额定电流

43A

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