Datasheet下载- 型号： NE5520379A-T1A-A
- 制造商： CEL
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE5520379A-T1A-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE5520379A-T1A-A价格参考。CELNE5520379A-T1A-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE5520379A-T1A-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE5520379A-T1A-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NE5520379A-T1A-A、品牌为CEL的射频MOSFET晶体管，主要用于高频无线通信系统中的功率放大电路。该器件适用于工作频率在数百MHz至数GHz范围的射频应用，具备良好的增益特性、效率和线性度，适合对信号保真度要求较高的场景。 典型应用场景包括：蜂窝通信基站（如4G LTE、5G小基站）、无线中继设备、点对点微波通信系统以及工业、科学和医疗（ISM）频段的射频模块。此外，该器件也常用于雷达系统、广播发射设备及无线基础设施中的驱动级或末级功率放大。 由于其优良的热稳定性和可靠性，NE5520379A-T1A-A在高负荷连续运行环境下表现稳定，适合部署于户外通信单元或紧凑型射频功放模块中。同时，该器件采用贴片封装，便于自动化生产与高效散热设计，广泛应用于需要小型化与高性能兼顾的现代射频电子设备中。 总之，NE5520379A-T1A-A是一款面向中高频段无线通信系统的射频MOSFET，适用于基站、微波传输、无线接入等关键功率放大环节，满足高性能与高可靠性的工程需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET LD N-CHAN 3.2V 79A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | CEL |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NE5520379A-T1A-A |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | 79A |
| 其它名称 | NE5520379A-T1A-ADKR |
| 功率-输出 | 35.5dBm |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 3.2V |
| 电压-额定 | 15V |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | 915MHz |
| 额定电流 | 1.5A |
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