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- 型号： BLF6G13LS-250P,112
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G13LS-250P,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G13LS-250P,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G13LS-250P,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G13LS-250P,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G13LS-250P,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF6G13LS-250P,112 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款高性能射频功率 MOSFET 晶体管，主要应用于高功率射频放大系统。该器件基于 LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）技术，工作频率范围宽，输出功率高，具有优异的热稳定性和可靠性。 其典型应用场景包括：广播电视发射机中的 UHF（特高频）功率放大，特别是在数字电视（如 DVB-T、ATSC）广播系统中作为末级功率放大器；工业、科学和医疗（ISM）频段设备，例如等离子发生器、射频加热与感应加热系统；还可用于公共安全通信、应急通信及专业无线通信基站中，支持高效率、高线性度的信号放大。 该器件采用先进的封装技术，具备良好的散热性能，适合在连续波（CW）和脉冲工作模式下运行，能够在高驻波比（VSWR）条件下承受一定程度的失配，增强了系统鲁棒性。由于其高增益和高效率特性，BLF6G13LS-250P,112 被广泛用于需要稳定、可靠大功率射频输出的场合，尤其适用于对能效和长期运行稳定性要求较高的户外或工业环境。 总之，BLF6G13LS-250P,112 是一款面向广播、通信与工业领域的关键射频功率器件，适用于高功率、高频率的模拟与数字调制信号放大应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS SOT1121B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF6G13LS-250P,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM4 |
| 其它名称 | 934065125112 |
| 功率-输出 | 250W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | SOT-1121B |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 100V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 1.3GHz |
| 额定电流 | 42A |
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