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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF160由M/A-COM设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF160价格参考。M/A-COMMRF160封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF160参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF160 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
M/A-Com Technology Solutions(现为MACOM)的MRF160是一款射频(RF)功率MOSFET晶体管,广泛应用于射频功率放大领域。该器件主要设计用于在VHF(甚高频)和UHF(特高频)频段工作,具备高增益、高效率和良好热稳定性的特点。 MRF160的典型应用场景包括: 1. 广播发射机:用于AM/FM广播和电视广播发射系统中的功率放大模块,提供稳定的射频输出。 2. 通信系统:应用于蜂窝基站、无线接入系统和微波通信设备中,作为射频功率放大器的核心元件。 3. 工业加热设备:在感应加热和等离子体发生装置中作为射频能量源的放大器。 4. 测试与测量仪器:用于射频信号发生器和功率放大器模块,提供高精度和稳定的测试信号。 5. 军用与航空航天:在雷达系统、电子对抗设备和卫星通信系统中提供高可靠性射频功率放大。 MRF160具备良好的热性能和高耐用性,适合在要求高稳定性和长寿命的工业和军事环境中使用。其金属封装形式有助于散热,适用于连续波(CW)和脉冲工作模式。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | FET RF N CH 28V 50MA 249-06射频MOSFET晶体管 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB |
产品分类 | RF FET分离式半导体 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1 A |
Id-连续漏极电流 | 1 A |
品牌 | MACOMM/A-Com Technology Solutions |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,MACOM MRF160- |
数据手册 | |
产品型号 | MRF160MRF160 |
Pd-PowerDissipation | 24 W |
Pd-功率耗散 | 24 W |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 65 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
供应商器件封装 | 249-06, 3 型 |
其它名称 | 1465-1159 |
功率-输出 | 4W |
功率耗散 | 24 W |
包装 | 托盘 |
商标 | MACOM |
噪声系数 | - |
增益 | 18 dB18dB |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tray |
封装/外壳 | 249-06 |
封装/箱体 | Case 249-06 |
工厂包装数量 | 10 |
技术 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
晶体管类型 | N 通道 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 20 |
汲极/源极击穿电压 | 65 V |
漏极连续电流 | 1 A |
电压-测试 | 28V |
电压-额定 | 65V |
电流-测试 | 50mA |
类型 | Broadband RF Power FET |
输出功率 | 4 W |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
频率 | 500 MHz30MHz ~ 500MHz |
额定电流 | 1A |