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- 型号： SD56120M
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SD56120M由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SD56120M价格参考。STMicroelectronicsSD56120M封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SD56120M参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SD56120M 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的SD56120M是一款射频（RF）MOSFET晶体管，适用于高频、高性能射频应用。该器件常用于以下几种典型应用场景： 1. 无线通信系统：SD56120M适用于基站、微波回传系统和无线基础设施设备中的射频功率放大器设计，支持如4G/5G等现代通信标准。 2. 广播与传输设备：在FM/TV广播发射机中作为高效能射频放大元件，提供高线性度和输出功率，满足广播行业对信号质量的严格要求。 3. 工业与测试设备：用于射频测试仪器、信号发生器及测量设备中，作为关键的功率放大单元，确保测试信号的稳定与准确。 4. 雷达与航空航天系统：在雷达发射模块中作为高频率、高可靠性的射频功率器件使用，适用于需要高耐压与高稳定性的严苛环境。 5. 宽带与多频段应用：由于其良好的频率响应特性，适合用于多频段或宽带射频系统中，实现灵活的设计与优异的性能表现。 总之，SD56120M凭借其高性能射频特性和可靠性，广泛应用于通信、广播、测试、雷达等多个领域，是高频功率放大设计中的优选器件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF PWR LDMOST M252 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SD56120M |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | M252 |
| 其它名称 | 497-5473-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1829/PF66794?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 120W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | M252 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 15 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 400mA |
| 频率 | 860MHz |
| 额定电流 | 14A |
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