Datasheet下载- 型号： BLF884PS,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF884PS,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF884PS,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF884PS,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF884PS,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF884PS,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLF884PS,112 是一款高性能射频功率MOSFET晶体管，主要用于高频率、高功率的无线通信系统。该器件基于LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）技术，具有高效率、高增益和优良的热稳定性，适用于900 MHz至940 MHz频段。 BLF884PS,112 典型应用场景包括工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量应用，如射频加热、等离子发生、医疗设备（如射频消融设备）以及工业感应加热系统。此外，该器件也广泛用于陆地移动无线电（LMR）、广播发射机以及部分基站放大器中，支持高可靠性与连续波（CW）操作。 由于其出色的功率处理能力（可输出高达480W的射频功率）和耐高温性能，BLF884PS,112 特别适合在严苛环境下的高功率放大电路中使用。其封装设计有利于高效散热，确保长时间稳定运行。该器件常用于需要高能效和紧凑设计的射频功率放大模块，满足现代工业与通信设备对小型化、高可靠性和低维护成本的需求。 总之，BLF884PS,112 是面向高功率射频应用的关键元器件，广泛应用于工业加热、医疗设备及专业通信系统等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS UHF 350W LDMOS ACC-4 CDFM4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF884PS,112 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM4 |
| 其它名称 | 568-8370 |
| 功率-输出 | 150W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 21dB |
| 封装/外壳 | SOT-1121B |
| 应用说明 | |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 104V |
| 电流-测试 | 650mA |
| 设计资源 | |
| 频率 | 860MHz |
| 额定电流 | - |
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