Datasheet下载- 型号： BLF6G27LS-40P,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G27LS-40P,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G27LS-40P,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G27LS-40P,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G27LS-40P,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G27LS-40P,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF6G27LS-40P,118 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频功率 MOSFET 晶体管，主要用于高功率射频放大应用。该器件工作频率可达 2.7 GHz，具备 40W 输出功率能力，适用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频系统。 典型应用场景包括：射频能量应用，如感应加热、等离子体生成、介质加热和射频干燥设备；无线通信基础设施中的高效率射频放大器，尤其是在需要稳定高功率输出的场合；还可用于广播发射机和专业射频设备中作为末级功率放大元件。 该器件采用先进的 LDMOS 技术，具有高增益、高效率和良好的热稳定性，适合在连续波（CW）和脉冲模式下运行。其坚固的封装设计（如陶瓷封装）可有效散热，提升在严苛工业环境下的可靠性。 BLF6G27LS-40P,118 常用于对能效、稳定性和长期耐用性要求较高的工业射频系统，是现代射频能量和高功率通信设备中的关键组件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1121B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF6G27LS-40P,118 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM4 |
| 其它名称 | 568-8667-6 |
| 功率-输出 | 12W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-1121B |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 450mA |
| 频率 | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| 额定电流 | 15.5A |
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