【未分类_AFT09MS031GNR1】封装/厂家_AFT09MS031GNR1中文资料_价格

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型号： AFT09MS031GNR1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供AFT09MS031GNR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AFT09MS031GNR1价格参考。Freescale SemiconductorAFT09MS031GNR1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载AFT09MS031GNR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AFT09MS031GNR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

AFT09MS031GNR1是NXP USA Inc.生产的一款射频MOSFET晶体管，属于高频率、高功率的氮化镓（GaN）基器件，主要应用于射频功率放大领域。其典型应用场景包括：

1. 航空与国防雷达系统：该器件具备高输出功率和优异的高频性能，适用于L波段至S波段的脉冲雷达系统，广泛用于空中交通管制、气象雷达及军用探测系统。

2. 通信基础设施：在地面基站和点对点微波通信系统中，AFT09MS031GNR1可用于实现高效、稳定的射频信号放大，提升信号覆盖范围和传输质量。

3. 工业与科学设备：适用于需要高功率射频源的设备，如等离子体生成、射频加热及材料处理系统，提供稳定可靠的功率输出。

4. 卫星通信：凭借其高效率和宽带宽特性，该器件可支持地面站与卫星之间的上行链路通信，尤其适用于需要高线性度和低失真的场景。

5. 测试与测量仪器：作为高性能信号放大模块的核心元件，用于矢量网络分析仪、信号发生器等高端测试设备中。

AFT09MS031GNR1采用先进的GaN-on-SiC工艺，具有高功率密度、良好热稳定性和耐高温能力，适合在严苛环境下长期运行。其封装形式便于集成到射频模块中，支持高效散热设计，广泛服务于高性能射频系统对小型化、高效率和高可靠性的需求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	FET RF 13.6V 941MHZ TO270-2G
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	AFT09MS031GNR1
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	TO-270-2 鸥翼型
功率-输出	31W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	17.2dB
封装/外壳	TO-270-2 鸥翼型
晶体管类型	LDMOS
标准包装	500
电压-测试	13.6V
电压-额定	40V
电流-测试	500mA
频率	764MHz ~ 941MHz
额定电流	-