Datasheet下载- 型号： MRFE6VP8600HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6VP8600HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6VP8600HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6VP8600HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFE6VP8600HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6VP8600HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFE6VP8600HR5是NXP USA Inc.生产的一款高功率LDMOS射频MOSFET晶体管，主要用于高频、高功率的射频放大应用。其典型应用场景包括工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量系统，如感应加热、等离子体生成、射频消融设备以及介质加热等。该器件工作频率范围宽（可达1.2GHz以下），输出功率高达600W，具有高效率和良好的热稳定性，适合在连续波（CW）和脉冲模式下工作。 此外，MRFE6VP8600HR5也广泛应用于广播领域的HF/VHF/UHF大功率发射机，如AM/FM广播和数字电视发射系统，提供稳定可靠的射频功率放大性能。由于其采用先进的陶瓷封装（SOT-1222-1），散热性能优异，能够在高温和高负载环境下长期稳定运行，因此也适用于严苛工业环境中的射频电源模块。 总之，MRFE6VP8600HR5是一款面向高功率射频能量和通信发射系统的高性能器件，适用于对可靠性、效率和输出功率要求较高的工业与广播类应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | RF FET LDMOS DUAL NI-1230射频MOSFET晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MRFE6VP8600HR5- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MRFE6VP8600HR5 |
| Pd-PowerDissipation | 1052 W |
| Pd-功率耗散 | 1052 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 140 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 140 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.07 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.07 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | NI-1230 |
| 其它名称 | MRFE6VP8600HR5DKR |
| 功率-输出 | 125W |
| 功率耗散 | 1052 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 13.164 g |
| 商标 | Freescale Semiconductor |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.8 dB at 860 MHz |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | NI-1230 |
| 封装/箱体 | NI-1230 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 15.6 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 140 V |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 130V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 系列 | MRFE6VP8600H |
| 输出功率 | 600 W at Peak |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 10 V |
| 频率 | 470 MHz to 860 MHz |
| 额定电流 | - |
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