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产品简介:
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NXP USA Inc. 的 MMRF1008HSR5 是一款射频MOSFET晶体管,属于高性能射频功率器件,广泛应用于需要高效率和高稳定性的射频放大系统。该器件基于LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术,具备良好的热稳定性和功率增益,在高频段表现出色。 MMRF1008HSR5 主要适用于工业、科学和医疗(ISM)频段的射频功率放大,典型应用场景包括射频能量应用,如感应加热、等离子发生、射频消融设备以及小型化射频电源系统。此外,该器件也常用于甚高频(VHF)至特高频(UHF)频段的广播与通信基础设施,例如FM广播发射机、电视发射系统及专业无线通信设备。 其高效率和高输出功率能力使其在电池供电或对能效要求较高的系统中具有优势。封装形式为带散热片的塑料封装(SOT-1226),便于散热管理,适合紧凑型设计,提升系统可靠性。 总之,MMRF1008HSR5 适用于要求高可靠性、高效率和良好热性能的中等功率射频放大场景,尤其适合工业加热、医疗设备和广播通信等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF N-CH 275W 50V NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMRF1008HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 250W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.8dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 960MHz ~ 1.215GHz |
| 额定电流 | - |