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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PTF180101M V1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PTF180101M V1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTF180101M V1价格参考。InfineonPTF180101M V1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PTF180101M V1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PTF180101M V1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）是一家全球领先的半导体公司，其产品广泛应用于汽车、工业、通信和消费电子等领域。型号为PTF180101M V1的器件属于射频（RF）MOSFET晶体管类别。 PTF180101M V1是一款用于射频功率放大的MOSFET器件，主要面向高频通信系统。其应用场景包括但不限于以下领域： 1. 无线通信基础设施：如蜂窝基站、微波回传系统和5G通信设备，用于信号放大和传输。 2. 广播设备：用于FM广播、电视广播等发射系统中的射频功率放大。 3. 工业与科学设备：如射频加热、等离子体发生器和测试测量仪器。 4. 航空与国防：在雷达、电子战系统和通信中继设备中提供高稳定性和高功率射频放大支持。 该器件具备良好的热稳定性和高功率密度，适合在需要高效率和高线性度的射频应用场景中使用，适用于频率范围较高的通信系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/ds_ptf180101m-05.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4095d3b01ef&fileId=db3a304412b407950112b4115fbb15d1 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PTF180101M V1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | GOLDMOS® |
| 供应商器件封装 | PG-RFP-10 |
| 其它名称 | PTF180101MV1XT |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.5dB |
| 封装/外壳 | 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 180mA |
| 频率 | 1.99GHz |
| 额定电流 | 1µA |
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