Datasheet下载- 型号： MRF5S21045NBR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S21045NBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S21045NBR1价格参考￥234.53-￥309.76。Freescale SemiconductorMRF5S21045NBR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S21045NBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S21045NBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S21045NBR1是NXP USA Inc.生产的一款射频MOSFET晶体管，属于高性能LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）器件，主要应用于射频功率放大领域。该器件典型工作频率覆盖DC至450 MHz，输出功率高达450W，具有高增益、高效率和良好的热稳定性，适用于需要大功率射频放大的工业、科学和通信系统。 其主要应用场景包括： 1. 广播发射系统：用于AM/FM广播发射机中的射频功率放大级，提供稳定高效的信号放大能力。 2. 工业加热与等离子发生设备：在射频感应加热、介质加热及等离子体生成设备中作为核心功率器件，实现高效能量转换。 3. 航空与国防雷达系统：适用于地面雷达、空中交通管制雷达等需要高可靠性与高功率输出的军用或民用雷达系统。 4. 无线通信基础设施：支持陆地移动无线电（如公共安全通信、应急通信系统）和基站放大器应用，满足严苛环境下的连续运行需求。 MRF5S21045NBR1采用坚固的陶瓷封装，具备优良的散热性能和抗恶劣环境能力，适合在高温、高湿或振动环境中长期稳定工作。其设计符合国际射频功率应用标准，广泛用于对可靠性与性能要求较高的专业领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO272-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF5S21045NBR1 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-272 WB-4 |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.5dB |
| 封装/外壳 | TO-272BB |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 500mA |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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