Datasheet下载- 型号： NE5550979A-T1-A
- 制造商： CEL
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE5550979A-T1-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE5550979A-T1-A价格参考。CELNE5550979A-T1-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE5550979A-T1-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE5550979A-T1-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NE5550979A-T1-A 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款射频MOSFET（RF MOSFET），专为高频、中功率射频放大应用优化。该器件采用硅基LDMOS工艺，典型工作频率范围为DC至约1 GHz，具备高增益（Gp > 15 dB）、高效率（PAE ≈ 60% @ 900 MHz）及良好线性度，适合窄带/宽带射频功率放大。 主要应用场景包括： ✅ 蜂窝通信基础设施：如4G LTE基站的末级驱动级（Driver Stage）或小型基站（Small Cell）中的输出级； ✅ 无线通信系统：ISM频段（如868/915 MHz）、对讲机、PMR（专业移动无线电）和无线麦克风等便携式/固定式发射模块； ✅ 工业与医疗射频设备：RF加热、等离子体发生器、MRI射频功放模块中的中功率激励级； ✅ 测试与测量仪器：信号源、射频功率放大器模块中的宽带激励单元。 注：该器件为表面贴装（SOT-89封装），需配合匹配网络与稳定偏置电路使用；不适用于5G毫米波或极高频（>2 GHz）场景，亦非逻辑开关型MOSFET，不可用于电源管理或数字开关应用。实际设计中需严格遵循瑞萨提供的参考电路、PCB布局指南及热管理要求（如接地焊盘散热）。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC FET LDMOS 30V 3.0A 79A-PKG |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | CEL |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NE5550979A-T1-A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 79A |
| 功率-输出 | 38.6dBm |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 22dB |
| 封装/外壳 | 79A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-测试 | 7.5V |
| 电压-额定 | 30V |
| 电流-测试 | 200mA |
| 频率 | 900MHz |
| 额定电流 | 3A |
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