【未分类_NE5550979A-T1-A】封装/厂家_NE5550979A-T1-A中文资料_价格

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型号： NE5550979A-T1-A
制造商： CEL
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NE5550979A-T1-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE5550979A-T1-A价格参考。CELNE5550979A-T1-A封装/规格：未分类，暂无。您可以下载NE5550979A-T1-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE5550979A-T1-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NE5550979A-T1-A 是由 CEL（California Eastern Laboratories）生产的一款射频 MOSFET 晶体管，主要应用于高频信号处理和射频功率放大领域。以下是该型号的一些典型应用场景：

 1. 射频功率放大器 (RF Power Amplifier)
   - 该晶体管适用于无线通信设备中的射频功率放大器，例如对讲机、基站、卫星通信设备等。
   - 它能够高效地放大高频信号，确保信号传输的稳定性和可靠性。

 2. 雷达系统
   - 在雷达系统中，NE5550979A-T1-A 可用于信号发射部分的功率放大，提升雷达探测的距离和精度。
   - 其高频性能使其适合 X 波段或 Ku 波段的雷达应用。

 3. 无线通信设备
   - 该晶体管可用于蜂窝网络、Wi-Fi、蓝牙等无线通信设备的射频前端模块，提高信号发射效率。
   - 特别适合需要高增益和低失真的应用场景。

 4. 工业、科学与医疗 (ISM) 领域
   - 在 ISM 频段（如 2.4GHz 或 5.8GHz），该晶体管可用于微波加热设备、无线能量传输或其他高频能量应用。
   - 它能提供稳定的功率输出，满足高功率需求。

 5. 测试与测量设备
   - NE5550979A-T1-A 可用于信号发生器、频谱分析仪等测试设备中，作为射频信号放大的核心元件。
   - 其优异的线性度和稳定性有助于精确测量高频信号。

 6. 航空航天与国防
   - 在航空航天领域，该晶体管可用于导航系统、卫星通信和机载雷达。
   - 其高可靠性和抗干扰能力使其非常适合严苛环境下的应用。

 7. 业余无线电
   - 对于业余无线电爱好者，这款晶体管可以用来构建高性能的射频放大器，增强信号传输距离。

 总结
NE5550979A-T1-A 凭借其出色的高频性能、高功率处理能力和低噪声特性，广泛应用于射频通信、雷达、医疗设备和测试仪器等领域。它是一款专为高性能射频应用设计的 MOSFET 晶体管，能够在高频条件下实现高效功率放大和信号处理。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	IC FET LDMOS 30V 3.0A 79A-PKG
产品分类	RF FET
品牌	CEL
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	NE5550979A-T1-A
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	79A
功率-输出	38.6dBm
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	22dB
封装/外壳	79A
晶体管类型	LDMOS
标准包装	1,000
电压-测试	7.5V
电压-额定	30V
电流-测试	200mA
频率	900MHz
额定电流	3A