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Datasheet下载- 型号： ATF-33143-BLKG
- 制造商： Avago Technologies
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ATF-33143-BLKG产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-33143-BLKG由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-33143-BLKG价格参考。Avago TechnologiesATF-33143-BLKG封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet pHEMT FET 4V 80mA 2GHz 15dB 22dBm SOT-343。您可以下载ATF-33143-BLKG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ATF-33143-BLKG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ATF-33143-BLKG是Broadcom Limited推出的一款高性能砷化镓（GaAs）增强型伪形貌电子迁移场效应晶体管（pHEMT），属于射频MOSFET类器件，广泛应用于高频、低噪声场景。其主要应用场景包括： 1. 无线通信系统：适用于蜂窝基站、微波回传链路和点对点通信系统中的低噪声放大器（LNA），在2.4 GHz至4.0 GHz频段表现优异，适合Wi-Fi 6、5G小基站等设备。 2. 卫星通信：凭借高增益、低噪声系数（典型值0.4 dB @ 3.5 GHz）和优良的线性度，该器件可用于卫星接收前端，提升信号接收灵敏度。 3. 雷达与传感系统：在X波段雷达、工业传感器和远程探测设备中，作为射频前端放大器，实现微弱信号的稳定放大。 4. 测试与测量仪器：用于频谱分析仪、信号发生器等高端设备中，确保高频信号处理的精度与稳定性。 5. 宽带网络设备：支持宽频带工作，适用于宽带无线接入系统和毫米波前传网络。 ATF-33143-BLKG采用小型化封装（SOT-343），便于高密度布局，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适合高性能、紧凑型射频模块设计。其增强型设计简化了偏置电路，降低了系统功耗与设计复杂度，是现代高频低噪声应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | IC PHEMT 1.9GHZ 80MA LN SOT-343射频JFET晶体管 Transistor GaAs Low Noise |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 305 mA |
| Id-连续漏极电流 | 305 mA |
| 品牌 | Avago Technologies |
| 产品手册 | http://www.avagotech.com/pages/en/rf_microwave/transistors/fet/atf-33143/ |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies ATF-33143-BLKG- |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-1442EN |
| P1dB | 22 dBm |
| 产品型号 | ATF-33143-BLKG |
| PCN组件/产地 | http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B |
| Pd-PowerDissipation | 600 mW |
| Pd-功率耗散 | 600 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 5.5 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 5.5 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 5 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 5 V |
| 产品 | RF JFET |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-343 |
| 其它名称 | 516-1862 |
| 功率-输出 | 22dBm |
| 功率耗散 | 600 mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Avago Technologies |
| 噪声系数 | 0.5 dB |
| 增益 | 15 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 封装/箱体 | SOT-343 |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 技术 | GaAs |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | pHEMT |
| 最大工作温度 | + 160 C |
| 标准包装 | 100 |
| 正向跨导-最小值 | 440 mmho |
| 漏极连续电流 | 305 mA |
| 漏源电压VDS | 5.5 V |
| 电压-测试 | 4V |
| 电压-额定 | 5.5V |
| 电流-测试 | 80mA |
| 类型 | GaAs pHEMT |
| 配置 | Single Dual Source |
| 闸/源击穿电压 | - 5 V |
| 频率 | 2 GHz |
| 额定电流 | 305mA |
