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产品简介:
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NXP USA Inc. 的 MMRF1004NR1 是一款射频MOSFET晶体管,属于高功率LDMOS器件,广泛应用于射频功率放大场景。该器件典型工作频率范围覆盖DC至500 MHz,适用于工业、科学和医疗(ISM)频段的射频能量应用。常见使用场景包括射频加热、等离子体生成、感应加热系统以及射频激励源设备,如半导体制造中的等离子刻蚀与沉积设备。此外,MMRF1004NR1也用于商业和工业射频加热系统,如塑料热封、木材胶合和食品加工等需要高效稳定射频能量输出的场合。其高效率、高增益和良好的热稳定性使其在连续波(CW)和脉冲操作模式下均表现出色。该器件采用坚固的封装设计,具备良好的散热性能,适合在严苛工业环境中长期运行。总体而言,MMRF1004NR1是一款专为中高频、高功率射频应用优化的关键功率放大元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF N-CH 10W 28V TO270-2 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMRF1004NR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270-2 |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.5dB |
| 封装/外壳 | TO-270AA |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 130mA |
| 频率 | 2.17GHz |
| 额定电流 | - |