Datasheet下载- 型号： BLF7G27LS-140,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G27LS-140,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G27LS-140,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G27LS-140,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF7G27LS-140,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G27LS-140,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的型号 BLF7G27LS-140,112 是一款射频功率 MOSFET 晶体管，主要应用于高功率射频系统中。该器件支持在27MHz至29MHz频率范围内工作，具备高效率、高增益和高可靠性等特点，适用于需要高输出功率的射频放大场景。 典型的应用场景包括： 1. 广播发射机：用于调频（FM）或中波广播发射系统中的射频功率放大模块，提供稳定的高功率输出。 2. 工业加热设备：如感应加热或等离子体发生装置中的射频电源系统，该MOSFET可提供所需的高功率射频能量。 3. 医疗设备：例如用于肿瘤治疗的射频消融设备，要求高稳定性和可靠性的射频功率输出。 4. 测试与测量设备：在射频测试系统中作为高功率放大器使用，支持通信、航空航天等领域的设备测试。 5. 通信基础设施：包括专用通信系统、短波通信等需要高功率射频放大的场景。 该器件采用LDMOS技术，具备良好的热稳定性和耐用性，适合在严苛环境中长期运行。其封装设计便于散热，支持高效功率输出，是多种高功率射频应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF7G27LS-140,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934064594112 |
| 功率-输出 | 20W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.3A |
| 频率 | 2.6GHz ~ 2.7GHz |
| 额定电流 | - |
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