Datasheet下载- 型号： BF1101WR,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF1101WR,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF1101WR,135价格参考。NXP SemiconductorsBF1101WR,135封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BF1101WR,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF1101WR,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BF1101WR,135 是由 NXP USA Inc. 生产的一款射频场效应晶体管（RF FET），属于MOSFET类别，主要用于高频信号放大和射频开关应用。该器件采用SOT-343封装，具有小型化、高可靠性和良好热稳定性的特点，适用于空间受限的高频电路设计。 其主要应用场景包括： 1. 无线通信系统：广泛用于GSM、CDMA、WLAN（如Wi-Fi）和蓝牙等无线通信设备中的低噪声放大器（LNA）或驱动放大器，提升接收灵敏度和信号质量。 2. 射频识别（RFID）：在UHF RFID读写器中作为射频前端放大元件，增强信号读取距离与稳定性。 3. 物联网（IoT）设备：因其低功耗和高频率特性，适合集成于各类无线传感器节点和智能终端中，支持稳定的射频传输。 4. 消费类电子产品：应用于智能手机、平板电脑、无线耳机等便携式设备中的射频模块，实现高效能无线连接。 5. 工业与汽车电子：可用于车载通信模块（如Telematics）、远程控制装置及工业无线传输系统，适应较宽工作温度范围，具备良好环境适应性。 BF1101WR,135 工作频率覆盖VHF至UHF频段，具备良好的增益和线性度，适合小信号放大场景。其表面贴装封装便于自动化生产，有助于提高制造效率和产品一致性。总体而言，该器件是一款适用于多种低功率射频系统的高性能、高性价比解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BF1101WR,135 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CMPAK-4 |
| 其它名称 | 934054130135 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | 1.7dB |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 晶体管类型 | N 通道双门 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-测试 | 5V |
| 电压-额定 | 7V |
| 电流-测试 | 12mA |
| 频率 | 800MHz |
| 额定电流 | 30mA |
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