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- 型号： BLF7G27L-90P,112
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G27L-90P,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G27L-90P,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G27L-90P,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF7G27L-90P,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G27L-90P,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLF7G27L-90P,112 是一款高性能射频功率 MOSFET 晶体管，主要应用于高频率、高功率的无线通信系统。该器件工作频段覆盖高达 2.7 GHz，特别适用于 LDMOS 技术擅长的 2G、3G、4G/LTE 等蜂窝通信基站中的宏蜂窝功率放大器。 典型应用场景包括陆地移动无线电（如公共安全通信、应急通信系统）、工业与广播领域的射频功率放大，以及航空通信和雷达系统等需要高效率、高线性度输出的场合。其高增益和出色的热稳定性使其在长时间高负载运行中仍能保持可靠性能。 BLF7G27L-90P,112 采用先进的封装技术，具备良好的散热性能，适合在大功率连续波（CW）或调制信号条件下工作，广泛用于基站发射机的最终功率放大级。此外，该器件也适用于ISM频段（工业、科学和医疗）设备，如射频能量应用和等离子发生器等。 综上，BLF7G27L-90P,112 主要服务于电信基础设施、专业无线通信及部分工业射频应用领域，是现代高可靠性射频系统中的关键元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS SOT1121A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF7G27L-90P,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM4 |
| 其它名称 | 934064498112 |
| 功率-输出 | 16W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-1121A |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 720mA |
| 频率 | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| 额定电流 | 18A |
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