Datasheet下载- 型号： MRF8S21140HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S21140HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S21140HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S21140HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S21140HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S21140HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 MRF8S21140HR3 是一款高性能射频MOSFET晶体管，属于LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）技术产品，专为高功率射频放大应用设计。该器件广泛应用于无线通信基础设施领域，尤其适用于工作频率在790–960 MHz范围内的基站系统。 主要应用场景包括：蜂窝网络基站中的功率放大器模块，支持GSM、CDMA、WCDMA和LTE等多种通信标准；分布式天线系统（DAS）和微波中继设备中的射频功率放大环节；公共安全通信系统及专用移动无线电（PMR）网络等需要高线性度和高效率输出的场合。 MRF8S21140HR3具备高增益、优异的热稳定性和良好的互调性能，能够在高电压和高输出功率条件下稳定运行，适合在严苛环境下的连续工作。其采用坚固的陶瓷封装（NI-780D），具有出色的散热能力和可靠性，适用于要求长寿命和高可用性的电信设备。 此外，该器件常用于多载波、宽带信号放大的场景，支持高能效设计，有助于降低运营商的运营成本和能耗。凭借NXP在射频功率领域的技术积累，MRF8S21140HR3成为现代4G/LTE网络部署及向5G过渡过程中关键的射频功率解决方案之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 2GHZ 28V NI780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S21140HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 34W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.9dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 970mA |
| 频率 | 2.14GHz |
| 额定电流 | - |
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