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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PD85006-E由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD85006-E价格参考。STMicroelectronicsPD85006-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PD85006-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PD85006-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD85006-E是一款射频MOSFET晶体管,主要用于射频功率放大器应用。它适用于无线通信基础设施,如蜂窝基站、广播设备和工业射频系统。该器件在高频下具有高功率增益和优良的线性度,适合用于CDMA、WCDMA、LTE等现代通信标准中的射频信号放大。此外,PD85006-E也适用于广播发射机中的高频功率放大环节,如FM广播和电视发射系统。其高可靠性和良好的热稳定性使其在严苛环境下也能稳定工作,广泛用于需要高效率和高线性度的射频功率放大场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS N-CH LDMOST PWRSO-10RF |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PD85006-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 10-PowerSO |
| 其它名称 | 497-10293-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1821/PF246715?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 6W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 13.6V |
| 电压-额定 | 40V |
| 电流-测试 | 200mA |
| 频率 | 870MHz |
| 额定电流 | 2A |