【未分类_BLF3G22-30,135】封装/厂家_BLF3G22-30,135中文资料_价格

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型号： BLF3G22-30,135
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF3G22-30,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF3G22-30,135价格参考。NXP SemiconductorsBLF3G22-30,135封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLF3G22-30,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF3G22-30,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 生产的型号为 BLF3G22-30,135 的晶体管属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，专为射频（RF）应用设计。以下是该型号的主要应用场景：

 1. 射频功率放大器
   - BLF3G22-30,135 是一款高性能射频功率晶体管，适用于射频功率放大器的设计。其高频特性和高功率处理能力使其成为广播、通信和工业领域中射频放大的理想选择。
   - 应用实例：广播电视发射机、无线通信基站等。

 2. 工业加热与等离子体激发
   - 在工业加热设备中，例如感应加热或热处理系统，该晶体管可用于生成高频电磁场以加热金属材料。
   - 此外，在等离子体激发设备中，它能够提供稳定的射频能量输出，用于材料加工、表面处理等。

 3. 医疗设备
   - 在医疗领域，BLF3G22-30,135 可用于射频治疗设备，如射频消融仪或美容设备中的能量源，提供精确控制的射频能量输出。

 4. 无线能量传输
   - 该晶体管可以用于无线能量传输系统，例如电动汽车无线充电或远程供电设备，通过高效的射频能量转换实现非接触式能量传递。

 5. 雷达与导航系统
   - 在雷达和导航系统中，该晶体管可作为功率放大器的核心组件，用于信号发射和接收，确保远距离通信和高精度定位。

 6. 业余无线电通信
   - 对于业余无线电爱好者，BLF3G22-30,135 可用于自制射频发射机或功率放大器，支持短波、超短波等频段的通信。

 总结
BLF3G22-30,135 晶体管凭借其优异的射频性能和高功率特性，广泛应用于广播、通信、工业、医疗和科研等领域。其具体应用场景取决于系统的频率范围、功率需求以及功能要求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR UHF PWR LDMOS SOT608
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF3G22-30,135
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	CDFM2
其它名称	934057338135
功率-输出	30W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	14dB
封装/外壳	SOT-608A
晶体管类型	LDMOS
标准包装	300
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	450mA
频率	2.11GHz ~ 2.17GHz
额定电流	12A