Datasheet下载- 型号： MMRF1004GNR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMRF1004GNR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMRF1004GNR1价格参考。Freescale SemiconductorMMRF1004GNR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMRF1004GNR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMRF1004GNR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MMRF1004GNR1的射频MOSFET晶体管，由NXP USA Inc.生产，主要应用于射频（RF）功率放大领域。该器件适用于工作频率范围较宽的射频系统，常用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、广播系统和工业、科学及医疗（ISM）频段设备中。 MMRF1004GNR1具备高功率增益和良好的线性度，适合用于多载波通信系统中的射频放大，有助于提高信号传输的稳定性和效率。同时，它具有良好的热稳定性和可靠性，适合在高温或恶劣环境下运行。 此外，该器件也适用于射频测试设备、发射机和射频加热设备等应用场景，是射频功率电子领域中一款性能优良的通用型射频MOSFET器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF N-CH 10W 28V TO270G-2 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMRF1004GNR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270G-2 |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.5dB |
| 封装/外壳 | TO-270BA |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 130mA |
| 频率 | 2.17GHz |
| 额定电流 | - |
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