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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌科技)的BF5030 E6327是一款射频MOSFET晶体管,主要用于射频(RF)功率放大应用。该器件适用于工作频率范围较广的无线通信系统,例如蜂窝基站、无线基础设施、工业和医疗射频设备等。 BF5030 E6327具备高功率密度、良好的线性度以及高效率,适合用于GSM、WCDMA、LTE等移动通信标准中的射频功率放大器设计。此外,它也可用于广播系统(如FM或TV发射机)、射频测试设备以及需要高可靠性和高性能的工业控制系统。 该MOSFET采用先进的技术,能够在高频率下保持稳定工作,并具备良好的热稳定性和耐用性,适用于高要求的通信和射频应用场景。由于其封装形式适合表面贴装,因此也便于在现代射频电路板中集成。 总结来说,BF5030 E6327主要应用于无线通信基础设施、射频功率放大器、广播系统、测试设备以及工业射频系统中,是一款高性能、高稳定性的射频MOSFET器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/bf5030series.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf221ff04c3&fileId=db3a304320d39d5901217d75477d095d |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BF 5030 E6327 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PG-SOT143-4 |
| 其它名称 | SP000437952 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | 1.3dB |
| 增益 | 24dB |
| 封装/外壳 | TO-253-4,TO-253AA |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-测试 | 3V |
| 电压-额定 | 8V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 频率 | 800MHz |
| 额定电流 | 25mA |