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  • 型号: BLS7G2729LS-350P,1
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BLS7G2729LS-350P,1由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLS7G2729LS-350P,1价格参考。NXP SemiconductorsBLS7G2729LS-350P,1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BLS7G2729LS-350P,1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLS7G2729LS-350P,1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BLS7G2729LS-350P,1 是 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频 MOSFET 晶体管,主要应用于高功率射频放大器中。该器件适用于 700MHz 至 2900MHz 的频率范围,具备高效率、高线性和高稳定性的特点,常用于广播、通信和工业领域。具体应用场景包括:

1. 广播电视发射机:用于调频(FM)或数字音频广播(DAB)等发射系统中,作为主功率放大器,提供高保真信号输出。

2. 通信基础设施:如蜂窝基站、微波通信系统等,适用于4G/5G基站中的射频功率放大模块,支持高数据传输速率和广覆盖需求。

3. 工业与医疗射频设备:用于射频能量应用,如材料加热、等离子体生成、医疗治疗设备等,提供稳定可控的射频功率输出。

4. 测试与测量设备:作为高功率射频信号源,用于通信设备、雷达系统等的测试和验证环节。

该器件采用先进的LDMOS技术,具备良好的热稳定性和可靠性,适合长时间高负载运行。其封装设计便于散热和集成,适用于需要高效能和高稳定性的各种射频功率应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR RF PWR HPA LDMOST

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BLS7G2729LS-350P,1

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

SOT539B

其它名称

934065661112
BLS7G2729LS-350P1

功率-输出

350W

包装

托盘

噪声系数

-

增益

13dB

封装/外壳

SOT539B

晶体管类型

LDMOS (双), 共源

标准包装

20

电压-测试

32V

电压-额定

65V

电流-测试

200mA

频率

-

额定电流

-

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