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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6VP41KHR5由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6VP41KHR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6VP41KHR5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF6VP41KHR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF6VP41KHR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 MRF6VP41KHR5 是一款高功率射频MOSFET晶体管,属于射频功率放大器器件,广泛应用于需要高效率和高线性度的射频系统中。该器件主要适用于工作频率在1.8 GHz至2.2 GHz之间的通信系统,特别适合用于蜂窝基站、陆地移动无线电(如公共安全通信)、广播传输设备以及工业和军事通信系统。 MRF6VP41KHR5 具有高增益、高输出功率(可达数百瓦)和良好的热稳定性,能够在恶劣环境下稳定运行,因此非常适合部署在室外基站和高可靠性要求的通信基础设施中。其设计支持多载波GSM、WCDMA、LTE等多种通信标准,在宏蜂窝基站的最终功率放大级中表现优异,可确保信号覆盖范围广且通话质量稳定。 此外,该器件采用坚固的陶瓷封装(KR5),具备优良的散热性能和抗电磁干扰能力,适用于高功率密度应用。由于其高可靠性和耐用性,也常用于应急通信系统、军事战术电台和广播发射机等关键任务场景。 总之,MRF6VP41KHR5 主要应用于高性能、高可靠的射频功率放大场合,尤其适合现代无线通信基础设施中的基站发射系统,满足对高输出功率、高效率和长期稳定运行的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6VP41KHR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230 |
| 功率-输出 | 1000W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | NI-1230 |
| 晶体管类型 | LDMOS(双) |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 频率 | 450MHz |
| 额定电流 | 5mA |