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Datasheet下载- 型号： MRFE6VP5600HR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6VP5600HR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6VP5600HR6价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6VP5600HR6封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS（双） 50V 100mA 230MHz 25dB 600W NI-1230。您可以下载MRFE6VP5600HR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6VP5600HR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 MRFE6VP5600HR6 是一款高性能的射频功率 MOSFET 晶体管，主要用于高功率射频放大应用。其典型应用场景包括工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量系统，如感应加热、介质加热和等离子体生成设备。该器件支持在 1.8 MHz 至 470 MHz 宽频率范围内高效工作，适合需要高输出功率和高效率的场合。 MRFE6VP5600HR6 具备出色的热稳定性和可靠性，适用于广播发射机中的射频功率放大级，特别是AM、FM 和数字广播（如DAB）发射系统。此外，它也广泛用于高功率 HF/VHF 频段的通信基础设施，如公共安全通信、军事通信和业余无线电系统。 该器件采用坚固的陶瓷封装（HR6），具备优良的散热性能和抗环境应力能力，适合在严苛工业环境下长期运行。其高增益和线性特性使其在需要高保真信号放大的应用中表现优异。同时，MRFE6VP5600HR6 支持高电压操作（VDD=50V），可实现高达600W的连续波（CW）输出功率，满足大功率射频系统的需求。 综上所述，MRFE6VP5600HR6 主要应用于广播发射、工业加热、通信基站及高可靠性射频功率放大系统，是高功率模拟射频设计中的关键元器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 600W NI1230 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRFE6VP5600HR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230 |
| 功率-输出 | 600W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 25dB |
| 封装/外壳 | NI-1230 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 130V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 230MHz |
| 额定电流 | - |
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