Datasheet下载- 型号： BLP8G21S-160PVY
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLP8G21S-160PVY由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLP8G21S-160PVY价格参考。NXP SemiconductorsBLP8G21S-160PVY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLP8G21S-160PVY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLP8G21S-160PVY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLP8G21S-160PVY 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET 类型。该器件专为高频射频应用设计，适用于需要高效功率放大和高线性度的场景。以下是其主要应用场景： 1. 射频功率放大器 BLP8G21S-160PVY 适合用于无线通信系统中的射频功率放大器，尤其是在 L 波段（约 1-2 GHz）范围内。它能够提供高增益和高效率，适用于基站、中继站和其他无线基础设施设备。 2. 航空航天与国防 该器件可应用于雷达系统、卫星通信和电子战设备中。其出色的射频性能和可靠性使其成为航空航天和国防领域的理想选择，例如脉冲放大器或连续波（CW）放大器。 3. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域 在 ISM 频段内，BLP8G21S-160PVY 可用于各种射频能量应用，如无线电频率加热、等离子体生成和医疗设备（如射频消融）。 4. 广播系统 该型号可用于广播发射机中，特别是在甚高频频段（VHF）和超高频频段（UHF）内，提供稳定且高效的射频信号放大。 5. 测试与测量设备 在实验室环境中，BLP8G21S-160PVY 可作为测试仪器中的核心组件，用于生成高精度的射频信号，满足研发和质量检测的需求。 总结来说，BLP8G21S-160PVY 的高性能和稳定性使其广泛应用于通信、国防、医疗和工业领域，尤其适合需要高功率、高效率和高线性度的射频系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC TRANS LDMOS 6HSOP |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLP8G21S-160PVY |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 6-HSOPF |
| 其它名称 | 934067782518 |
| 功率-输出 | 160W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-1221-1 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 28V |
| 电流-测试 | 600mA |
| 频率 | 1.88GHz ~ 2.03GHz |
| 额定电流 | 1.4µA |
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